電源芯片為何會燒壞？電源芯片燒壞的原因

 在電路設計中，電源設計無非是最重要的一環，所有的子系統要想正常工作，電源設計的值必須要保證在手冊的要求范圍之內，一旦超出或者低于，都有可能導致系統不工作或者芯片燒壞；但是有時候我們也會遇到這樣的情況，上電后系統可以正常運行一段時間，調試接口打印出來的log也正常，但是突然電路板上某個芯片就冒青煙了，讓電子設計者像個丈二的和尚–摸不著頭腦。經過仔細確定后，發現是電源芯片的VDD與GND短路了，而電路其他阻容或者IC都正常，這種情況就比較奇怪了，下面是我們項目開發過程中遇到的一個例子。

    我們做了一個激光驅動的電路，就是所說的大電流電路，要求電源芯片輸出8V/4A，我們用的是RICHTECK的RT8289/RT8279，前者輸入電壓范圍廣一些，下面分析一下這類問題的分析方法。

    可能原因分析

    （1）排除基本的因素：PMIC的VDD是否超過了要求的最大值；

    （2）過流、過壓：當后級負載是感性負

    載，感性回路中就可能產生反向的高電壓，要負載要求是4A的電流，PMIC最大輸出3.5A這兩種情況下，就有可能發生過流和過壓；

    （3）峰值電流過大：

    （4）出現反向電流：出現了高反向的偏置電壓，系統中的電流以相反的方向運行；電路電壓的波動有可能導致電流從IC的電源VDD腳流出，而IC內部結構有些容易反向擊穿，比如MOSFET，NPN或者PNP三極管;

    問題定位

    （1）用萬用表和示波器測量PMIC的VDD引腳，與手冊中的要求的最大值比較；

    （2）查看電子系統中是否有感性負載，比如線圈馬達，繼電器等類型的負載；

    （3）峰值電流可以用示波器抓取高頻波形，看紋波值是否超過要求范圍；

    解決方法

    （1）如果是峰值電流超出了允許值，可以采用高頻吸收電容(高的Q值，超低的ESR)，在電源輸出引腳附近并聯一個高頻吸收電容到地；

    （2）在輸入通路中加入肖特基二極管；

    （3）加入雙向的MOSFET(N-MOS)；

    （4）加入負載開關 TPS22963;

    今天還在博客上看到一個例子，是LM2576，是設計人員在測試時不小心將輸入電源和GND短路了，造成了TI 的LM2576燒壞，電路圖如下。

    LM2576的function Block Diagram如下圖，在output引腳外部需要連接一個肖特基和電感，構成DCDC的基本回路，引腳內部是一個NPN三極管。

    可以這樣分析：在VIN引腳對地短路后，輸入端電壓瞬變為0，NPN的基極電壓為0，在OUTPUT引腳的電感L1電流不能突變，產生一個反向的感應電壓，倒灌到OUTPUT引腳，造成NPN的射極電壓大于基極電壓，把PN結擊穿，電源芯片損壞

http://www.rfz1.com/news_view.aspx?TypeId=28&Id=1535&Fid=t2:28:2